华邦电子：14nm DRAM 内存将有 EUV 版本，有望 2030 年导入

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IT之家 11 月 9 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子 (Winbond) 总经理陈沛铭表示， 计划在企业的第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术 ，若开发顺利预计 2030 年导入。 陈沛铭提到，该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作，目前正派遣员工赴 ASML 接受培训，为后续的工艺导入进行准备。 ASML