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英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择 追赶台积电是规模问题
📋总体概括
快科技10月26日消息， 英特尔制造开发与客户互动副总裁兼总经理克里斯·奥思（Chris Auth）认为，与台积电相比，英特尔更适合使用High NA EUV光刻机。 他解释说，由于英特尔的产品采用背面供电，可直接用High NA EUV光刻电路。 英特尔首席技术官（CTO）普什卡尔·拉纳德（Pushkar Ranade）则表示，追赶台积电是规模问题，而非技术问题。 High NA EUV
⚡关键信息
- ▸快科技10月26日消息， 英特尔制造开发与客户互动副总裁兼总经理克里斯·奥思（Chris Auth）认为，与台积电相比，
- ▸他解释说，由于英特尔的产品采用背面供电，可直接用High NA EUV光刻电路。 英特尔首席技术官（CTO）普什卡尔·拉
- ▸High NA EUV光刻机提高了光线在晶圆上的分辨率，可实现16nm至8nm之间的间距（pitch），使芯片制造商能够
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