国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储

📋总体概括

国产半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得突破：针对64层硅/硅锗交替堆叠结构，开发出「刻」与「清」两阶段循环的两步循环刻蚀工艺，实现超过500:1的硅锗刻蚀选择性，解决高深宽比横向选择性刻蚀的行业难题。在西方EUV光刻机对华出口管制收紧的背景下，该技术为长鑫存储等国内厂商绕开光刻壁垒、推进3D DRAM自主量产提供了新路径。3D DRAM通过晶体管垂直堆叠提升存储密度，被视为DRAM技术演进下一阶段，此次突破标志着国产设备在先进存储工艺装备环节的实质进展。